FDN360P MOSFET SSOT-3 P-CH -30V
♠ Popis produktu
| Atributo del producto | Udatnost atributu |
| Výrobce: | onsemi |
| Kategorie produktu: | MOSFET |
| RoHS: | Podrobnosti |
| Technologie: | Si |
| Estilo de montaje: | SMD/SMT |
| Paquete / Cubierta: | SSOT-3 |
| Polarita tranzistoru: | P-kanál |
| Číslo kanálů: | 1 kanál |
| Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 30 V |
| Id – Corriente de drenaje continua: | 2 A |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 63 mOhm |
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 20 V + 20 V |
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 3 V |
| Qg - Carga de puerta: | 9 nC |
| Teplota minimální teploty: | - 55 C |
| Maximální teplota trabajo: | + 150 C |
| Dp - Disipación de potencia : | 500 mW |
| Modo kanál: | Zvýšení |
| Obchodní jméno: | PowerTrench |
| Empaquetado: | Role |
| Empaquetado: | Řez pásku |
| Empaquetado: | MouseReel |
| Marca: | onsemi / Fairchild |
| Konfigurace: | Singl |
| Tiempo de caída: | 13 ns |
| Transconductancia hacia delante - Min.: | 5 S |
| Altura: | 1,12 mm |
| Zeměpisná délka: | 2,9 mm |
| Produkt: | MOSFET Malý signál |
| Typ produktu: | MOSFET |
| Čas pro subida: | 13 ns |
| série: | FDN360P |
| Cantidad de empaque de fabrica: | 3000 |
| Podkategorie: | MOSFETy |
| Typ tranzistoru: | 1 P-kanál |
| Tip: | MOSFET |
| Typ retarda de apagado: | 11 ns |
| Typové označení demora de encendido: | 6 ns |
| Ancho: | 1,4 mm |
| Alias de las piezas n.º: | FDN360P_NL |
| Peso de la unidad: | 0,001058 oz |
♠ Jeden P-kanál, PowerTrenchÒ MOSFET
Tento MOSFET P-Channel Logic Level se vyrábí pomocí pokročilého procesu Power Trench společnosti ON Semiconductor, který byl speciálně upraven tak, aby minimalizoval odpor v zapnutém stavu a přitom zachoval nízké nabití hradla pro vynikající spínací výkon.
Tato zařízení jsou vhodná pro nízkonapěťové a bateriově napájené aplikace, kde jsou vyžadovány nízké ztráty napájení a rychlé přepínání.
· –2 A, –30 V. RDS(ON) = 80 mW @ VGS = –10 V RDS(ON) = 125 mW @ VGS = –4,5 V
· Nízký náboj hradla (typicky 6,2 nC) · Vysoce výkonná technologie výkopu pro extrémně nízké RDS(ON) .
· Vysoce výkonná verze standardního balíčku SOT-23.Identický pin-out jako SOT-23 s o 30 % vyšší schopností manipulace s výkonem.
· Tato zařízení neobsahují Pb a jsou v souladu s RoHS
