FDN360P MOSFET SSOT-3 P-CH -30V
♠ Popis produktu
| Atribut produktu | Hodnota atribuce |
| Výrobce: | onsemi |
| Kategorie produktu: | MOSFET |
| RoHS: | Detaily |
| Technologie: | Si |
| Montážní styl: | SMD/SMT |
| Balíček / Skládací: | SSOT-3 |
| Polarita tranzistoru: | P-kanál |
| Počet kanálů: | 1 kanál |
| Vds - Tensión disruptiva entre drenaje y fuente: | 30 V |
| Id – Corriente de drenaje continua: | 2 A |
| Rds On - Resistencia entre drenaje y fuente: | 63 mOhmů |
| Vgs - Tensión entre puerta y fuente: | - 20 V, + 20 V |
| Vgs th - Tensión umbral entre puerta y fuente: | 3 V |
| Qg - Náklad dveří: | 9 nC |
| Teplota minimální teploty: | -55 °C |
| Maximální teplota trabajo: | +150 °C |
| Dp - Disipación de potencia : | 500 mW |
| Modský kanál: | Zvýšení |
| Obchodní jméno: | PowerTrench |
| Zabaleno: | Role |
| Zabaleno: | Řezaná páska |
| Zabaleno: | MyšNaviják |
| Značka: | onsemi / Fairchild |
| Konfigurace: | Singl |
| Čas sklizně: | 13 ns |
| Transconductancia hacia delante - Min.: | 5 S |
| Výška: | 1,12 mm |
| Zeměpisná délka: | 2,9 mm |
| Produkt: | MOSFET malý signál |
| Typ produktu: | MOSFET |
| Tiempo de subida: | 13 ns |
| Série: | FDN360P |
| Cantidad de empaque de fabrica: | 3000 |
| Podkategorie: | MOSFETy |
| Typ tranzistoru: | 1 P-kanál |
| Typo: | MOSFET |
| Typ retarda de apagado: | 11 ns |
| Typové označení demora de encendido: | 6 ns |
| Ancho: | 1,4 mm |
| Přezdívky č.: | FDN360P_NL |
| Cena jednotky: | 0,001058 unce |
♠ Jednokanálový P-kanálový MOSFET PowerTrenchÒ
Tento MOSFET s P-kanálovou logickou úrovní je vyroben pomocí pokročilého procesu Power Trench od společnosti ON Semiconductor, který byl speciálně navržen tak, aby minimalizoval odpor v zapnutém stavu a zároveň udržel nízký náboj hradla pro vynikající spínací výkon.
Tato zařízení jsou vhodná pro nízkonapěťové a bateriové aplikace, kde je vyžadována nízká ztráta výkonu v síti a rychlé spínání.
· –2 A, –30 V. RDS(ON) = 80 mW při VGS = –10 V RDS(ON) = 125 mW při VGS = –4,5 V
· Nízký náboj na hradle (typicky 6,2 nC) · Vysoce výkonná příkopová technologie pro extrémně nízké RDS(ON).
· Vysoce výkonná verze standardního pouzdra SOT-23. Identické zapojení pinů jako SOT-23 s o 30 % vyšším výkonem.
· Tato zařízení neobsahují olovo a splňují požadavky směrnice RoHS
