IDW30G120C5BFKSA1 Schottkyho diody a usměrňovače SIC CHIP/DISCRETE
♠ Popis produktu
| Atribut produktu | Hodnota atributu |
| Výrobce: | Infineon |
| Kategorie produktů: | Schottkyho diody a usměrňovače |
| RoHS: | Podrobnosti |
| Produkt: | Schottkyho diody z karbidu křemíku |
| Styl montáže: | Skrz díru |
| Balíček / pouzdro: | TO-247-3 |
| Konfigurace: | Duální anoda společná katoda |
| Technika: | SiC |
| Pokud - Dopředný proud: | 30 A |
| Vrrm - Opakované zpětné napětí: | 1,2 kV |
| Vf - Dopředné napětí: | 1,4 V |
| Ifsm – Forward Surge Current: | 240 A |
| Ir – zpětný proud: | 17 uA |
| Minimální provozní teplota: | - 55 C |
| Maximální provozní teplota: | + 175 C |
| Série: | IDW30G120C5 |
| Obal: | Trubka |
| Značka: | Technologie Infineon |
| Pd - ztrátový výkon: | 332 W |
| Typ produktu: | Schottkyho diody a usměrňovače |
| Tovární množství balení: | 240 |
| Podkategorie: | Diody a usměrňovače |
| Jméno výrobku: | CoolSiC |
| Vr - Reverzní napětí: | 1,2 kV |
| Část # Aliasy: | IDW30G120C5B SP001123716 |
| Jednotková hmotnost: | 1,340411 oz |
·Revoluční polovodičový materiál – karbid křemíku
·Žádný zpětný obnovovací proud / Žádná dopředná obnova
·Chování spínání nezávislé na teplotě
·Nízké propustné napětí i při vysoké provozní teplotě
·Pevná distribuce napětí vpřed
·Vynikající tepelný výkon
·Rozšířená schopnost rázového proudu
·Specifikovaná dv/dt robustnost
·Kvalifikace podle JEDEC1) pro cílové aplikace
·bezolovnaté pokovení olova;V souladu s RoHS
·Solární invertory
·Nepřerušitelné zdroje napájení
·Motorové pohony
·Korekce účiníku
