IPD50N04S4-10 MOSFET N-Ch 40V 50A DPAK-2 OptiMOS-T2
♠ Popis produktu
| Atribut produktu | Hodnota atributu |
| Výrobce: | Infineon |
| Kategorie produktů: | MOSFET |
| RoHS: | Podrobnosti |
| Technika: | Si |
| Styl montáže: | SMD/SMT |
| Balíček/pouzdro: | TO-252-3 |
| Polarita tranzistoru: | N-kanál |
| Počet kanálů: | 1 kanál |
| Vds - Průrazné napětí odtokového zdroje: | 40 V |
| Id – Nepřetržitý odtokový proud: | 50 A |
| Rds On - Odpor zdroje odvodnění: | 9,3 mOhm |
| Vgs – Napětí zdroje brány: | - 20 V + 20 V |
| Vgs th – Prahové napětí zdroje brány: | 3 V |
| Qg – Nabíjení brány: | 18,2 nC |
| Minimální provozní teplota: | - 55 C |
| Maximální provozní teplota: | + 175 C |
| Pd - ztrátový výkon: | 41 W |
| Režim kanálu: | Zvýšení |
| Kvalifikace: | AEC-Q101 |
| Jméno výrobku: | OptiMOS |
| Obal: | Role |
| Obal: | Řez pásku |
| Značka: | Technologie Infineon |
| Konfigurace: | Singl |
| Podzim: | 5 ns |
| Výška: | 2,3 mm |
| Délka: | 6,5 mm |
| Typ produktu: | MOSFET |
| Doba vzestupu: | 7 ns |
| Série: | OptiMOS-T2 |
| Tovární množství balení: | 2500 |
| Podkategorie: | MOSFETy |
| Typ tranzistoru: | 1 N-kanál |
| Typická doba zpoždění vypnutí: | 4 ns |
| Typická doba zpoždění zapnutí: | 5 ns |
| Šířka: | 6,22 mm |
| Část # Aliasy: | IPD5N4S41XT SP000711466 IPD50N04S410ATMA1 |
| Jednotková hmotnost: | 330 mg |
• N-channel – režim vylepšení
• Kvalifikace AEC
• MSL1 až do 260°C špičkového přetavení
• Provozní teplota 175°C
• Zelený produkt (v souladu s RoHS)
• 100% Avalanche testováno
