NTMFS4C028NT1G MOSFET TRENCH 6 30V NCH
♠ Popis produktu
Atribut produktu | Hodnota atributu |
Výrobce: | onsemi |
Kategorie produktů: | MOSFET |
RoHS: | Podrobnosti |
Technika: | Si |
Styl montáže: | SMD/SMT |
Balíček / pouzdro: | SO-8FL-4 |
Polarita tranzistoru: | N-kanál |
Počet kanálů: | 1 kanál |
Vds - Průrazné napětí odtokového zdroje: | 30 V |
Id – Nepřetržitý odtokový proud: | 52 A |
Rds On - Odpor zdroje odvodnění: | 4,73 mOhm |
Vgs – Napětí zdroje brány: | - 20 V + 20 V |
Vgs th – Prahové napětí zdroje brány: | 2,2 V |
Qg – Nabíjení brány: | 22,2 nC |
Minimální provozní teplota: | - 55 C |
Maximální provozní teplota: | + 150 C |
Pd - ztrátový výkon: | 6 W |
Režim kanálu: | Zvýšení |
Obal: | Role |
Obal: | Řez pásku |
Obal: | MouseReel |
Značka: | onsemi |
Konfigurace: | Singl |
Typ produktu: | MOSFET |
Série: | NTMFS4C028N |
Tovární množství balení: | 1500 |
Podkategorie: | MOSFETy |
Jednotková hmotnost: | 0,026455 oz |
• Nízké RDS (zapnuto) pro minimalizaci ztrát vedení
• Nízká kapacita pro minimalizaci ztrát ovladače
• Optimalizované nabíjení brány pro minimalizaci ztrát ze spínání
• Tato zařízení neobsahují Pb-Free, Halogen Free/BFR Free a jsou v souladu s RoHS
• Dodávka napájení CPU
• DC−DC měniče