FDD4N60NZ MOSFET 2,5A výstupní proud GateDrive optokopler

Výrobci: ON Semiconductor

Kategorie produktu: Tranzistory – FET, MOSFET – Single

datový list:FDD4N60NZ

Popis: MOSFET N CH 600V 3,4A DPAK

Status RoHS: V souladu s RoHS

Detail produktu

Atribut produktu	Hodnota atributu
Výrobce:	onsemi
Kategorie produktů:	MOSFET
RoHS:	Podrobnosti
Technika:	Si
Styl montáže:	SMD/SMT
Balíček / pouzdro:	DPAK-3
Polarita tranzistoru:	N-kanál
Počet kanálů:	1 kanál
Vds - Průrazné napětí odtokového zdroje:	600 V
Id – Nepřetržitý odtokový proud:	1,7 A
Rds On - Odpor zdroje odvodnění:	1,9 Ohmů
Vgs – Napětí zdroje brány:	- 25 V, + 25 V
Vgs th – Prahové napětí zdroje brány:	5 V
Qg – Nabíjení brány:	8,3 nC
Minimální provozní teplota:	- 55 C
Maximální provozní teplota:	+ 150 C
Pd - ztrátový výkon:	114 W
Režim kanálu:	Zvýšení
Jméno výrobku:	UniFET
Obal:	Role
Obal:	Řez pásku
Obal:	MouseReel
Značka:	onsemi / Fairchild
Konfigurace:	Singl
Podzim:	12,8 ns
Forward Transconductance - Min:	3,4 S
Výška:	2,39 mm
Délka:	6,73 mm
Produkt:	MOSFET
Typ produktu:	MOSFET
Doba vzestupu:	15,1 ns
Série:	FDD4N60NZ
Tovární množství balení:	2500
Podkategorie:	MOSFETy
Typ tranzistoru:	1 N-kanál
Typická doba zpoždění vypnutí:	30,2 ns
Typická doba zpoždění zapnutí:	12,7 ns
Šířka:	6,22 mm
Jednotková hmotnost:	0,011640 oz