IKW75N65EH5XKSA1 IGBT tranzistory INDUSTRY 14

Stručný popis:

Výrobci: Infineon Technologies
Kategorie produktu: Tranzistory – IGBT – Single
datový list:IKW75N65EH5XKSA1
Popis: IGBT TRENCH 650V 90A TO247-3
Status RoHS: V souladu s RoHS


Detail produktu

Funkce

Aplikace

Štítky produktu

♠ Popis produktu

Atribut produktu Hodnota atributu
Výrobce: Infineon
Kategorie produktů: IGBT tranzistory
Technika: Si
Balíček / pouzdro: TO-247-3
Styl montáže: Skrz díru
Konfigurace: Singl
Napětí kolektoru VCEO Max: 650 V
Saturační napětí kolektor-emitor: 1,65 V
Maximální napětí vysílače brány: 20 V
Kontinuální kolektorový proud při 25 C: 90 A
Pd - ztrátový výkon: 395 W
Minimální provozní teplota: - 40 C
Maximální provozní teplota: + 175 C
Série: Trenchstop IGBT5
Obal: Trubka
Značka: Technologie Infineon
Svodový proud gate-emitter: 100 nA
Výška: 20,7 mm
Délka: 15,87 mm
Typ produktu: IGBT tranzistory
Tovární množství balení: 240
Podkategorie: IGBT
Jméno výrobku: ZASTÁVKA ZÁKOLU
Šířka: 5,31 mm
Část # Aliasy: IKW75N65EH5 SP001257948
Jednotková hmotnost: 0,211644 oz

 


  • Předchozí:
  • Další:

  • Nabídka vysokorychlostní technologie H5
    •Nejlepší ve své třídě v náročných přepínacích a rezonančních topologiích
    •Náhrada plug-inu za IGBT předchozí generace
    • Průrazné napětí 650V
    • LowgatechargeQG
    • IGBT spolu s antiparalelní diodou RAPID1 s plnou hodnotou
    •Maximální teplota spoje175°C
    • Kvalifikace podle JEDEC pro cílové aplikace
    • Bezolovnaté pokovování; V souladu s RoHS
    •Kompletní produktové spektrum a modely PSpice: http://www.infineon.com/igbt/

    • Nepřerušitelné zdroje napájení
    • Solární konvertory
    •Svařovací konvertory
    •Středně vysoké rozsahy přepínání frekvenčních měničů

    Související produkty