LCMXO2-2000HC-4BG256C FPGA – programovatelné hradlové pole 2112 LUT 207 IO 3,3 V 4 rychlosti
♠ Popis produktu
Atribut produktu | Hodnota atributu |
Výrobce: | Mříž |
Kategorie produktu: | FPGA - programovatelné hradlové pole |
RoHS: | Podrobnosti |
Série: | LCMXO2 |
Počet logických prvků: | 2112 LE |
Počet I/O: | 206 I/O |
Napájecí napětí - Min: | 2,375 V |
Napájecí napětí - Max.: | 3,6 V |
Minimální provozní teplota: | 0 °C |
Maximální provozní teplota: | +85 °C |
Rychlost přenosu dat: | - |
Počet transceiverů: | - |
Styl montáže: | SMD/SMT |
Balení / Pouzdro: | CABGA-256 |
Obal: | Zásobník |
Značka: | Mříž |
Distribuovaná RAM: | 16 kbit/s |
Vestavěná bloková RAM - EBR: | 74 kbit/s |
Maximální provozní frekvence: | 269 MHz |
Citlivé na vlhkost: | Ano |
Počet bloků logického pole - LAB: | 264 LAB |
Provozní napájecí proud: | 4,8 mA |
Provozní napájecí napětí: | 2,5 V/3,3 V |
Typ produktu: | FPGA - programovatelné hradlové pole |
Množství v továrním balení: | 119 |
Podkategorie: | Programovatelné logické integrované obvody |
Celková paměť: | 170 kbit/s |
Obchodní název: | MachXO2 |
Hmotnost jednotky: | 0,429319 unce |
1. Flexibilní logická architektura
• Šest zařízení s 256 až 6864 LUT4 a 18 až 334 I/O Zařízení s velmi nízkou spotřebou energie
• Pokročilý 65nm nízkopříkonový proces
• Spotřeba energie v pohotovostním režimu již od 22 µW
• Programovatelné diferenciální vstupy/výstupy s nízkým rozkmitem
• Pohotovostní režim a další možnosti úspory energie 2. Vestavěná a distribuovaná paměť
• Až 240 kbitů integrované blokové RAM sysMEM™
• Distribuovaná RAM až 54 kbitů
• Vyhrazená řídicí logika FIFO
3. Uživatelská flash paměť na čipu
• Až 256 kbitů uživatelské flash paměti
• 100 000 cyklů zápisu
• Přístupné přes rozhraní WISHBONE, SPI, I2C a JTAG
• Lze použít jako softwarovou PROM procesoru nebo jako flash paměť
4. Synchronní vstup/výstup předpřipraveného zdroje
• Registry DDR v I/O buňkách
• Speciální logika převodů
• Převodovka 7:1 pro vstupy/výstupy displeje
• Generické DDR, DDRX2, DDRX4
• Vyhrazená paměť DDR/DDR2/LPDDR s podporou DQS
5. Vysoce výkonná, flexibilní I/O vyrovnávací paměť
• Programovatelná vyrovnávací paměť sysIO™ podporuje širokou škálu rozhraní:
– LVCMOS 3,3/2,5/1,8/1,5/1,2
– LVTTL
– PCI
– LVDS, sběrnicové LVDS, MLVDS, RSDS, LVPECL
– SSTL 25/18
– HSTL 18
– Schmittovy spouštěcí vstupy, hystereze až 0,5 V
• Podpora I/O za provozu
• Diferenciální zakončení na čipu
• Programovatelný režim pull-up nebo pull-down
6. Flexibilní taktování na čipu
• Osm primárních hodin
• Až dva taktovací obvody na hraně pro vysokorychlostní I/O rozhraní (pouze horní a spodní strana)
• Až dva analogové PLL na zařízení se syntézou fractional-n frekvence
– Široký rozsah vstupních frekvencí (7 MHz až 400 MHz)
7. Nevolatilní, nekonečně rekonfigurovatelný
• Okamžité zapnutí
– zapíná se během mikrosekund
• Jednočipové, bezpečné řešení
• Programovatelné přes JTAG, SPI nebo I2C
• Podporuje programování energeticky nezávislé paměti na pozadí
8. dlaždicová paměť
• Volitelné duální bootování s externí pamětí SPI
9. Rekonfigurace TransFR™
• Aktualizace logiky v terénu za provozu systému
10. Vylepšená podpora na úrovni systému
• Funkce na čipu s integrovaným rozhraním: SPI, I2C, časovač/čítač
• Oscilátor na čipu s přesností 5,5 %
• Unikátní TraceID pro sledování systému
• Režim jednorázového programování (OTP)
• Jeden zdroj napájení s rozšířeným provozním dosahem
• Skenování hranic dle standardu IEEE 1149.1
• Programování v systému kompatibilní s IEEE 1532
11. Široká škála možností balíčků
• Možnosti pouzder TQFP, WLCSP, ucBGA, csBGA, caBGA, ftBGA, fpBGA, QFN
• Možnosti balení s malým rozměrem
– Již od 2,5 mm x 2,5 mm
• Podpora migrace hustoty
• Pokročilé bezhalogenové balení