LCMXO2-4000HC-4TG144C Programovatelné hradlové pole 4320 LUT 115 IO 3,3 V 4 rychlosti
♠ Popis produktu
| Atribut produktu | Hodnota atributu |
| Výrobce: | Mříž |
| Kategorie produktu: | FPGA - programovatelné hradlové pole |
| RoHS: | Podrobnosti |
| Série: | LCMXO2 |
| Počet logických prvků: | 4320 LE |
| Počet I/O: | 114 I/O |
| Napájecí napětí - Min: | 2,375 V |
| Napájecí napětí - Max.: | 3,6 V |
| Minimální provozní teplota: | 0 °C |
| Maximální provozní teplota: | +85 °C |
| Rychlost přenosu dat: | - |
| Počet transceiverů: | - |
| Styl montáže: | SMD/SMT |
| Balení / Pouzdro: | TQFP-144 |
| Obal: | Zásobník |
| Značka: | Mříž |
| Distribuovaná RAM: | 34 kbit/s |
| Vestavěná bloková RAM - EBR: | 92 kbit/s |
| Maximální provozní frekvence: | 269 MHz |
| Citlivé na vlhkost: | Ano |
| Počet bloků logického pole - LAB: | 540 LAB |
| Provozní napájecí proud: | 8,45 mA |
| Provozní napájecí napětí: | 2,5 V/3,3 V |
| Typ produktu: | FPGA - programovatelné hradlové pole |
| Množství v továrním balení: | 60 |
| Podkategorie: | Programovatelné logické integrované obvody |
| Celková paměť: | 222 kbit/s |
| Obchodní název: | MachXO2 |
| Hmotnost jednotky: | 0,046530 unce |
1. Flexibilní logická architektura
Šest zařízení s 256 až 6864 LUT4 a 18 až 334Vstupy/výstupy
2. Zařízení s velmi nízkou spotřebou energie
Pokročilý 65nm nízkoenergetický proces
Pohotovostní spotřeba již od 22 μW
Programovatelný diferenciální vstup/výstup s nízkým rozkmitem
Pohotovostní režim a další možnosti úspory energie
3. Vestavěná a distribuovaná paměť
Vestavěná bloková RAM sysMEM™ s kapacitou až 240 kbitů
Distribuovaná RAM až 54 kbitů
Vyhrazená řídicí logika FIFO
4. Uživatelská flash paměť na čipu
Až 256 kbitů uživatelské flash paměti
100 000 cyklů zápisu
Přístupné přes WISHBONE, SPI, I2C a JTAGrozhraní
Lze použít jako softwarový procesor PROM nebo jako Flashpaměť
5. Synchronní předpřipravený zdrojVstupy/výstupy
Registry DDR v I/O buňkách
Vyhrazená logika převodů
Převodovka 7:1 pro vstupy/výstupy displeje
Generická DDR, DDRX2, DDRX4
Vyhrazená paměť DDR/DDR2/LPDDR s DQSpodpora
6. Vysoce výkonná, flexibilní I/O vyrovnávací paměť
Programovatelná vyrovnávací paměť sysI/O™ podporuje širokýrozsah rozhraní:
LVCMOS 3,3/2,5/1,8/1,5/1,2
LVTTL
PCI
LVDS, sběrnicový LVDS, MLVDS, RSDS, LVPECL
SSTL 25/18
HSTL 18
Emulace MIPI D-PHY
Schmittovy spouštěcí vstupy, hystereze až 0,5 V
Podpora I/O zapojení za provozu
Diferenciální zakončení na čipu
Programovatelný režim pull-up nebo pull-down
7. Flexibilní taktování na čipu
Osm primárních hodin
Až dva edge clocky pro vysokorychlostní I/Orozhraní (pouze horní a spodní strana)
Až dva analogové PLL na zařízení s fractional-nfrekvenční syntéza
Široký rozsah vstupní frekvence (7 MHz až 400MHz)
8. Nevolatilní, nekonečně rekonfigurovatelný
Okamžité zapnutí – zapne se během mikrosekund
Jednočipové, bezpečné řešení
Programovatelné přes JTAG, SPI nebo I2C
Podporuje programování energeticky nezávislé paměti na pozadípaměť
Volitelné duální bootování s externí pamětí SPI
9. Rekonfigurace TransFR™
Aktualizace logiky v terénu za provozu systému
10. Vylepšená podpora na úrovni systému
Funkce na čipu s podporou hardwaru: SPI, I2C,časovač/počítadlo
Oscilátor na čipu s přesností 5,5 %
Unikátní TraceID pro sledování systému
Režim jednorázového programování (OTP)
Jeden napájecí zdroj s prodlouženou životnostírozsah
Standard IEEE 1149.1 hraniční skenování
Programování v systému kompatibilní s IEEE 1532
11. Široká škála možností balíčků
TQFP, WLCSP, ucBGA, csBGA, caBGA, ftBGA,Možnosti pouzder fpBGA, QFN
Možnosti balení s malým rozměrem
Již 2,5 mm x 2,5 mm
Podpora migrace hustoty
Pokročilé bezhalogenové balení
