SI7119DN-T1-GE3 MOSFET -200V Vds 20V Vgs PowerPAK 1212-8
♠ Popis produktu
| Atribut produktu | Hodnota atributu |
| Výrobce: | Vishay |
| Kategorie produktů: | MOSFET |
| RoHS: | Podrobnosti |
| Technika: | Si |
| Styl montáže: | SMD/SMT |
| Balíček/pouzdro: | PowerPAK-1212-8 |
| Polarita tranzistoru: | P-kanál |
| Počet kanálů: | 1 kanál |
| Vds - Průrazné napětí odtokového zdroje: | 200 V |
| Id – Nepřetržitý odtokový proud: | 3,8 A |
| Rds On - Odpor zdroje odvodnění: | 1,05 ohmu |
| Vgs – Napětí zdroje brány: | - 20 V + 20 V |
| Vgs th – Prahové napětí zdroje brány: | 2 V |
| Qg – Nabíjení brány: | 25 nC |
| Minimální provozní teplota: | - 50 C |
| Maximální provozní teplota: | + 150 C |
| Pd - ztrátový výkon: | 52 W |
| Režim kanálu: | Zvýšení |
| Jméno výrobku: | TrenchFET |
| Obal: | Role |
| Obal: | Řez pásku |
| Obal: | MouseReel |
| Značka: | Vishay Semiconductors |
| Konfigurace: | Singl |
| Podzim: | 12 ns |
| Forward Transconductance - Min: | 4 S |
| Výška: | 1,04 mm |
| Délka: | 3,3 mm |
| Typ produktu: | MOSFET |
| Doba vzestupu: | 11 ns |
| Série: | SI7 |
| Tovární množství balení: | 3000 |
| Podkategorie: | MOSFETy |
| Typ tranzistoru: | 1 P-kanál |
| Typická doba zpoždění vypnutí: | 27 ns |
| Typická doba zpoždění zapnutí: | 9 ns |
| Šířka: | 3,3 mm |
| Část # Aliasy: | SI7119DN-GE3 |
| Jednotková hmotnost: | 1 g |
• Bez halogenů Podle IEC 61249-2-21 Dostupné
• TrenchFET® Power MOSFET
• Balíček PowerPAK® s nízkou tepelnou odolností, malou velikostí a nízkým profilem 1,07 mm
• 100 % testováno UIS a Rg
• Aktivní svorka ve středních DC/DC napájecích zdrojích
