MOSFET SIA427ADJ-T1-GE3 -8V Vds 5V Vgs PowerPAK SC-70
♠ Popis produktu
| Atribut produktu | Hodnota atributu |
| Výrobce: | Vishay |
| Kategorie produktů: | MOSFET |
| RoHS: | Podrobnosti |
| Technika: | Si |
| Styl montáže: | SMD/SMT |
| Balíček/pouzdro: | SC-70-6 |
| Polarita tranzistoru: | P-kanál |
| Počet kanálů: | 1 kanál |
| Vds - Průrazné napětí odtokového zdroje: | 8 V |
| Id – Nepřetržitý odtokový proud: | 12 A |
| Rds On - Odpor zdroje odvodnění: | 95 mOhm |
| Vgs – Napětí zdroje brány: | - 5 V + 5 V |
| Vgs th – Prahové napětí zdroje brány: | 800 mV |
| Qg – Nabíjení brány: | 50 nC |
| Minimální provozní teplota: | - 55 C |
| Maximální provozní teplota: | + 150 C |
| Pd - ztrátový výkon: | 19 W |
| Režim kanálu: | Zvýšení |
| Jméno výrobku: | TrenchFET |
| Obal: | Role |
| Obal: | Řez pásku |
| Obal: | MouseReel |
| Značka: | Vishay Semiconductors |
| Konfigurace: | Singl |
| Typ produktu: | MOSFET |
| Série: | SIA |
| Tovární množství balení: | 3000 |
| Podkategorie: | MOSFETy |
| Jednotková hmotnost: | 82,330 mg |
• Výkonový MOSFET TrenchFET®
• Tepelně vylepšený obal PowerPAK® SC-70
– Malá plocha
– Nízký odpor
• Testováno na 100 % Rg
• Spínač zátěže pro 1,2 V napájecí vedení pro přenosná a ruční zařízení
